An Mn3Sn homo-junction enables efficient field-free full switching of chiral antiferromagnets with greatly reduced power consumption, advancing their potential for energy-efficient magnetic memory devices with advantages of ultradense integration and ultrafast speed.
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这是通过“二次预训练”实现的，第一次预训练，我们让模型知道各个物体是什么；第二次预训练，我们通过“热力图”让模型重点关注操作对象，让模型学会分辨“什么才是当前任务最重要的东西”。，推荐阅读safew官方下载获取更多信息